Unusual conduction mechanism of n-type β-Ga 2 O 3 : A shallow donor electron paramagnetic resonance analysis

H. von Bardeleben; Jean-Louis Cantin

doi:10.1063/5.0023546

Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2020

Unusual conduction mechanism of n-type β-Ga 2 O 3 : A shallow donor electron paramagnetic resonance analysis

(1) , (1)

1

H. von Bardeleben

Fonction : Auteur
PersonId : 817823
ORCID : 0000-0002-6571-6128
IdRef : 127275363

Institut des Nanosciences de Paris

Jean-Louis Cantin

Fonction : Auteur
PersonId : 13808
IdHAL : jean-louis-cantin
ORCID : 0000-0003-1928-2565
IdRef : 253119839

Institut des Nanosciences de Paris

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

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Dernière modification le : samedi 7 octobre 2023-21:36:23

Archivage à long terme le : vendredi 21 juillet 2023-19:26:51

Dates et versions

hal-03924933 , version 1 (20-04-2023)

Identifiants

HAL Id : hal-03924933 , version 1
DOI : 10.1063/5.0023546

Citer

H. von Bardeleben, Jean-Louis Cantin. Unusual conduction mechanism of n-type β-Ga 2 O 3 : A shallow donor electron paramagnetic resonance analysis. Journal of Applied Physics, 2020, 128 (12), pp.125702. ⟨10.1063/5.0023546⟩. ⟨hal-03924933⟩

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